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J-GLOBAL ID：200903013380420589

成膜方法及び該成膜方法により製造された膜

Inventor：
沢村 光治

About 沢村 光治


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997328188
Publication number (International publication number)：1999158620
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：
【要約】【課題】 成膜中の異常放電を防止して、高品質な膜を高スループットで成膜する。【解決手段】 ターゲットにDC電力と高周波電力を重畳印加してスパッタリングを行なう成膜方法において、該高周波電力の供給のみを周期的に停止し、該高周波電力の供給時間を異常放電発生時間よりも短くする。
Claim (excerpt)：
ターゲットにDC電力と高周波電力を重畳印加してスパッタリングを行なう成膜方法において、該高周波電力の供給のみを周期的に停止し、該高周波電力の供給時間を異常放電発生時間よりも短くしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (3)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503
FI (3)：
C23C 14/34 S ,  C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開昭63-026361
  • 成膜装置用異常放電抑制装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-028299   Applicant：株式会社京三製作所
  • 薄膜作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-176431   Applicant：アネルバ株式会社
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Cited by examiner (5)
  • 特開昭63-026361
  • 特開昭63-026361
  • 成膜装置用異常放電抑制装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-028299   Applicant：株式会社京三製作所
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