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J-GLOBAL ID：200903000413543687

シリコンカーバイド膜を形成する方法

Inventor：
カマル・キショー・ゴンダル

About カマル・キショー・ゴンダル

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熊倉 正志

About 熊倉 正志

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佐藤 清志

About 佐藤 清志


Applicant, Patent owner：
日本エー・エス・エム株式会社

About 日本エー・エス・エム株式会社


Agent (2)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004031571
Publication number (International publication number)：2004247725
Application date： Feb. 09, 2004
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：
【課題】低比誘電率及び低リーク電流を示すと同時に、金属原子のマイグレーションを防止する点で有効なバリア層としてのシリコンカーバイド膜を製造する。【解決手段】基板上にシリコンカーバイド層を蒸着するための方法はシリコン及び炭素ソースガス、及び不活性ガスを反応領域内に与える工程から成る。反応領域は基板を含む。当該方法はさらに反応領域内に電場を生成する工程から成る。該電場はRF電源によって生成される低及び高周波RFエネルギーを使って生成される。RF電源は反応領域内でプラズマ放電に使用される電力を電極表面に印加する。当該方法はさらに基板上にシリコンカーバイド膜を蒸着するためにシリコン及び炭素ソースガスを反応させる工程から成る。RF電源は処理時間中、高エネルギーRF電力及び低エネルギーRF電力を生成する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
シリコンカーバイド層を基板上に蒸着するための方法であって、 基板を含む反応領域内にシリコン及び炭素ソースガス、及び不活性ガスを導入する工程と、 前記反応領域内に電場を生成する工程であって、前記電場はRF電源により生成された低及び高周波RFエネルギーを使って生成され、前記RF電源は反応領域内のプラズマ放電用に使用される電極表面に電力を生成するところの工程と、 前記基板上にシリコンカーバイド層を蒸着するべく前記シリコン及び炭素ソースガスを反応させる工程と、 から成り、 前記RF電源は処理時間中、高周波RF電力及び低周波RF電力を生成する、ところの方法。
IPC (2)：
H01L21/314 ,  C23C16/42
FI (2)：
H01L21/314 A ,  C23C16/42
F-Term (26)：
4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA37 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030KA30 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF33 ,  5F058BF38 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第5,800,878号明細書
Cited by examiner (12)
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