半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村満 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000274427
Publication number (International publication number)：2002083870
Application date： Sep. 11, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】低誘電率かつ低Cu拡散性の、ダマシン法に適した、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下層の配線層LLの上に、トレンチホール108及びビアホール109に埋め込まれたCu層107を有する最上層の配線層HLをダマシン法により形成する。ダマシン法で用いるエッチングストッパ膜110には、SiとCとNとを主要元素として含む膜(SiCN系膜)を用いる。このSiCN系のエッチングストッパ膜は、膜中にCHn基を1021〜1022有するように形成され、低誘電率(6以下)かつ低Cu拡散性を示す。従って、配線間容量の小さい、信頼性の高い半導体装置が製造される。

Claim (excerpt)：

複数の溝又は穴を有する低誘電率の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成され、前記複数の溝又は穴と重なる複数の開口を有し、SiとCとHとを主要元素として含む第2の絶縁層と、前記複数の溝又は穴と前記複数の開口とから形成される複数の配線溝又は穴に埋め込まれた導体層と、を備えた半導体装置において、前記第2の絶縁層は、炭素-水素結合含有基(CHn基(nは1乃至3の整数))を1021〜1022(個/cm3)含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (4)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 21/318 B , H01L 21/90 M

F-Term (70)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR12 , 5F033RR20 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058BA05 , 5F058BA20 , 5F058BD03 , 5F058BD06 , 5F058BD09 , 5F058BF09 , 5F058BF23 , 5F058BF26 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-032487 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-158571 Applicant：ソニー株式会社
無定形SiNC被膜を蒸着する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-287998 Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション

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