抵抗変化型素子および抵抗変化型素子抵抗スイッチング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：吉田稔 , 田中達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007036333
Publication number (International publication number)：2008205007
Application date： Feb. 16, 2007
Publication date： Sep. 04, 2008
Summary：

【課題】高抵抗状態と低抵抗状態の間の抵抗値差が過度に小さくなるのを回避するのに適した抵抗変化型素子、および、そのような素子の抵抗スイッチング方法を提供する。【解決手段】本発明の抵抗変化型素子X1は、例えば、電極1と、光透過性を有する電極2と、酸化物層3とを備える。酸化物層3は、電極2に酸素イオン5を供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、電極2から酸素イオン5を受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。電極2は、酸化物層3から酸素イオン5を受容して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層3に酸素イオン5を供与して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。本発明の抵抗スイッチング方法は、高抵抗状態にある抵抗変化型素子X1に対して電極2側から光Lを照射しつつ、電極1,2を各々正極および負極として当該電極間に電圧を印加する工程(d)を含む。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1電極と、光透過性を有する第2電極と、前記第1および第2電極の間に位置し且つ前記第2電極に接する酸化物層と、を含む積層構造を有し、前記酸化物層は、前記第2電極に酸素イオンを供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記第2電極から酸素イオンを受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能であり、前記第2電極は、前記酸化物層から酸素イオンを受容して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記酸化物層に酸素イオンを供与して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である、抵抗変化型素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 A , H01L49/00 Z

F-Term (10)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

国際公開第2003/094227号パンフレット
抵抗変化型メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-059927 Applicant：松下電器産業株式会社
抵抗変化機能体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-074113 Applicant：シャープ株式会社, 辻博司, 石川順三

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