抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003355896
Publication number (International publication number)：2005123361
Application date： Oct. 16, 2003
Publication date： May. 12, 2005
Summary：

【課題】シリコン基板を用いた場合にも、抵抗変化材料と基板や金属電極との間に反応等が生じるのを防止することができ、良好な電気特性を得ることができる抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板等の基板11上に密着層12を介してPt等からなる金属電極13を形成し、その上に導電性酸化物層14を介して抵抗変化層15を形成し、その上にAu等からなる金属電極16を形成することにより抵抗変化型不揮発性メモリを構成する。抵抗変化層15の材料としては例えばCrを0.01〜10モル%ドープしたSrTiO3 またはSrZrO3 を用い、導電性酸化物層14の材料としては例えばLaドープSrTiO3 を用いる。導電性酸化物層14および抵抗変化層15は有機金属分解法によって形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上の第1の電極と、上記第1の電極上の導電性酸化物層と、上記導電性酸化物層上の抵抗変化層と、上記抵抗変化層上の第2の電極とを有することを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。

IPC (1)：

H01L27/105

FI (1)：

H01L27/10 441

F-Term (8)：

5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083HA10 , 5F083JA14 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-600308 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

Cited by examiner (8)

情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-600308 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
超薄膜キャパシタおよびDRAM
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-195787 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
誘電体薄膜素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-057852 Applicant：株式会社東芝

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