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J-GLOBAL ID：200903000519519904

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  大澤 洋一
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004373598
Publication number (International publication number)：2006178317
Application date： Dec. 24, 2004
Publication date： Jul. 06, 2006
Summary：

【課題】レジスト材料であって、高エネルギー線、特にはArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV、X線、EB等に対して高感度、高解像でラインエッジラフネスが小さく水への溶解がなく、十分な熱安定性、保存安定性を有するポリマー型の酸発生剤を含有する高解像性レジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 少なくとも、重合性不飽和結合を有するスルホン酸のオニウム塩を重合した重合体を含むことを特徴とするレジスト材料。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

少なくとも、重合性不飽和結合を有するスルホン酸のオニウム塩を重合した重合体を含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (4)：

G03F 7/004 ,  C08F 20/38 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  C08F20/38 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (24)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB42 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  4J100AL08P ,  4J100BA02P ,  4J100BA55P ,  4J100BA56P ,  4J100BB07P ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-141965   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-226735   Applicant：東京応化工業株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-316385   Applicant：JSR株式会社
• 平版印刷版用原版
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-303953   Applicant：富士写真フイルム株式会社