半導体集積回路、および半導体集積回路内のトランジスタのソース電位切換方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998330882
Publication number (International publication number)：2000156634
Application date： Nov. 20, 1998
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】複数のトランジスタの組み合わせによりレベルシフタ回路やドライバトランジスタ回路のような所定の機能を有する回路部を形成してなる半導体集積回路、およびトランジスタのソース電位切換方法に関し、待機期間中のサブスレッショルド電流をできる限り低減させ低消費電力化を図ることを目的とする。【解決手段】所定の機能を有する回路部を構成する複数のトランジスタの中で、回路部の待機期間にてオフ状態になる少なくとも一つのトランジスタのソースの電位を変化させるように構成される。好ましくは、回路部の待機期間に基づくタイミングにより、回路部の待機期間にてオフ状態になる少なくとも一つのトランジスタのゲート-ソース間に所定のバイアス電圧がかかるようにソースの電位を変化させ、当該トランジスタのソース-ドレイン間を流れるサブスレッショルド電流を減少させる。

Claim (excerpt)：

複数のトランジスタを形成することにより所定の機能をもたせた回路部を有する半導体集積回路において、前記複数のトランジスタの中で、該回路部の待機期間にてオフ状態になる少なくとも一つのトランジスタのソースの電位を変化させることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (6)：

H03K 19/0948 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H03K 19/0185

FI (4)：

H03K 19/094 B , H01L 27/04 B , H01L 27/08 321 L , H03K 19/00 101 E

F-Term (25)：

5F038AZ03 , 5F038AZ10 , 5F038BB02 , 5F038CD05 , 5F038CD08 , 5F038CD09 , 5F038CD13 , 5F038DF01 , 5F038DF08 , 5F038DF16 , 5F038EZ20 , 5F048AA00 , 5F048AB08 , 5F048AC03 , 5J056AA11 , 5J056BB02 , 5J056BB17 , 5J056BB18 , 5J056BB49 , 5J056BB52 , 5J056CC21 , 5J056DD13 , 5J056DD16 , 5J056KK01 , 5J056KK03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-023590 Applicant：三菱電機株式会社
半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-345901 Applicant：株式会社日立製作所
電圧変換器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-002682 Applicant：日鉄セミコンダクター株式会社, ユナイテッドメモリーズインコーポレイテッド

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Cited by examiner (9)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-023590 Applicant：三菱電機株式会社
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電圧変換器
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