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J-GLOBAL ID：200903000564502737

カーボンナノチューブの製造方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 本間 芳和 ,  小林 慶裕 ,  鈴木 哲
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004091701
Publication number (International publication number)：2005272271
Application date： Mar. 26, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】基板の表面の法線方向に配向した良質な単層カーボンナノチューブを提供し、この単層カーボンナノチューブを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】基板101の上に直径が3nm程度の触媒金属粒103を形成し、基板101を、所定の熱CVD装置の成膜室内に搬入して固定し、成膜室の内部を排気して所定の圧力にまで減圧した後、成膜室内にArなどの不活性ガスを導入してパージし、不活性ガスが充填された成膜室内で、基板101を例えば950〜1000°C程度に加熱し、成膜室内にメタンガス(炭素原料ガス)を導入し、加熱された基板101の表面に炭素原料ガスが供給された状態とし、触媒金属粒103の部分より、単層カーボンナノチューブ104を垂直に成長させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板の表面上に粒径が5nm以下の触媒金属の微粒子を形成する工程と、 前記基板を950°C以上に加熱した状態で前記基板の表面上に炭素原料ガスを供給し、前記微粒子を起点として前記基板の表面の法線方向に配向した単層カーボンナノチューブを成長する工程と を少なくとも備えることを特徴としたカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (10)：

C01B31/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

FI (12)：

C01B31/02 101F ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/28 301Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617K

F-Term (52)：

4G146AA08 ,  4G146AA12 ,  4G146AA13 ,  4G146AB06 ,  4G146AC03B ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB15 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146CB24 ,  4G146CB28 ,  4M104AA10 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033PP06 ,  5F033VV06 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F110AA30 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 柱状カーボン構造物の選択成長方法及び電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-074254   Applicant：富士通株式会社
• 配向性カーボンナノチューブ膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-120697   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社
• 集積回路装置及び集積回路装置製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-135322   Applicant：富士通株式会社
• ハイブリッド単層カーボンナノチューブの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-286109   Applicant：科学技術振興事業団, 名古屋大学長, 日本電気株式会社
• トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-263943   Applicant：富士ゼロックス株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Discrete Catalytic Nanoparticles of Various Sizes.