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J-GLOBAL ID：200903000780786669

半導体装置の組立方法およびIII-V族半導体装置

Inventor： スティーブン・ディー・レスター ,  チャング・チェン
Applicant, Patent owner： アジレント・テクノロジーズ・インク
Agent (1)： 加藤 公久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000193430
Publication number (International publication number)：2001053012
Application date： Jun. 27, 2000
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】結晶基板上に厚いあるいは高不純物濃度のIII-V族の半導体膜を亀裂無く堆積する。【解決手段】基板(31)上に粗面を設け、該粗面上にIII-V族の半導体材料からなる層(33)を堆積する。

Claim (excerpt)：

基板上にIII-V族の半導体材料からなる層(33)を堆積する方法であって:基板に粗面を設ける工程;および、前記粗面上に前記半導体材料を堆積する工程を含む半導体装置の組立方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-170015
  
• 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-056047   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-335591   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 3-5族化合物半導体結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-030067   Applicant：住友化学工業株式会社