半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998113666
Publication number (International publication number)：1999307810
Application date： Apr. 23, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 lnGaAlP系半導体発光素子において、動作電圧を低下させ、かつ従来より高出力化を実現した半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】所定量の炭素をドーピングしたコンタクト層を設けることにより、ITO電極との接触抵抗を低下させることができる。炭素は亜鉛のように拡散して素子特性を劣化させることもない。さらに、コンタクト層とクラッド層との中間的なバンドギャップを有する中間バンドギャップ層を介在させることにより価電子帯のバンド不連続を緩和して正孔の流入を促進させ、素子抵抗を低下させることができる。

Claim (excerpt)：

InGaAlP系半導体からなる発光層と、炭素がドープされたp型コンタクト層と、前記p型コンタクト層に接触して設けられた透明電極層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 B , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

発光ダイオード及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-010107 Applicant：三菱化学株式会社
III -V族化合物を用いた発光及び受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-313650 Applicant：三菱化成株式会社
面発光型半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-162525 Applicant：オムロン株式会社

Show all

Return to Previous Page