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J-GLOBAL ID：200903000895146655

成膜方法

Inventor：
小椋 厚志

About 小椋 厚志


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000364056
Publication number (International publication number)：2002167672
Application date： Nov. 30, 2000
Publication date： Jun. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 成膜表面の段差形状によらずその表面に金属膜、金属酸化物膜および金属窒化物膜を制御性よく堆積する。【解決手段】 バブラー5内に有機金属原料としてTa[N(C2H5)2]46を収容し、ヒータ7で暖めながらH2ガス流して有機金属原料ガスを成膜室1内に輸送する。そしてヒータブロック2上の基板4上にTa膜を形成する。Ta酸化膜を形成する場合には、Ta[N(C2H5)2]4と共にO2を成膜室1内に供給する。またTa窒化膜を形成する場合には、Ta[N(C2H5)2]4と共にNH3を成膜室1内に供給する。
Claim (excerpt)：
成膜室内に、少なくとも1種若しくは複数種のM[N(C2H5)2]4(但し、Mは金属(Siを含む、以下同じ)元素)にて表される有機物原料を導入し、化学的気相成長(CVD)法にて、金属(合金を含む)膜、若しくは、金属化合物膜を堆積し、堆積後に堆積中の温度よりも高い温度にて熱処理を行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (6)：
C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/316
FI (6)：
C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/316 X
F-Term (33)：
4K030AA00 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD45 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104HH13 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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