アモルファス導電性拡散バリアを形成する方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001161493
Publication number (International publication number)：2002050588
Application date： May. 29, 2001
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】隣接する構造への金属の拡散を妨げるように作用し、適切な導電体として作用する導電性拡散バリアを形成する方法を提供すること。【解決手段】本発明の導電性拡散バリアを形成する方法は、半導体基板を作製する工程と、半導体基板の上にバリア層を形成する工程であって、化学蒸着(CVD)を用いて耐熱性金属と窒素の第1の比率MaNbを有する耐熱性金属(M)窒化物(N)を堆積し、CVDを用いて耐熱性金属と窒素の第2の比率MxNyを有する同じ耐熱性金属窒化物を堆積する工程と、該バリア層の上に金属層を堆積する工程とを包含する。

Claim (excerpt)：

導電性拡散バリアを形成する方法であって、a)半導体基板を作製する工程と、b)該半導体基板の上にバリア層を形成する工程であって、化学蒸着(CVD)を用いて、耐熱性金属と窒素の第1の比率MaNbを有する耐熱性金属(M)窒化物(N)を堆積して、CVDを用いて、耐熱性金属と窒素の第2の比率MxNyを有する同じ耐熱性金属窒化物を堆積する工程と、c)該バリア層の上に金属層を堆積する工程と、を包含する方法。

IPC (7)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , B32B 9/00 , B32B 15/04 , B32B 31/00 , C23C 16/30 , H01L 21/768

FI (7)：

H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R , B32B 9/00 A , B32B 15/04 Z , B32B 31/00 , C23C 16/30 , H01L 21/90 D

F-Term (64)：

4F100AA12B , 4F100AA12C , 4F100AA20B , 4F100AA20C , 4F100AB01A , 4F100AB01D , 4F100AB17D , 4F100AB24D , 4F100AB25D , 4F100AT00A , 4F100BA04 , 4F100BA10A , 4F100BA10D , 4F100EH66B , 4F100EH66C , 4F100EH662 , 4F100GB41 , 4F100JA12B , 4F100JA12C , 4F100JJ03B , 4F100JJ03C , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030JA05 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB38 , 4M104CC01 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104FF18 , 4M104HH04 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033LL09 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033PP11 , 5F033PP12 , 5F033PP33 , 5F033WW06 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-219564 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-177896 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-238972 Applicant：株式会社東芝

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