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J-GLOBAL ID：200903000947596417

強誘電体薄膜素子の製造方法、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタ

Inventor： 村井 正己
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999245966
Publication number (International publication number)：2001088294
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Apr. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 強誘電体薄膜素子の用途に応じて強誘電体薄膜の結晶配向方位を制御する。【解決手段】 酸化ジルコニウムを主成分とする下地層6上に少なくともイリジウムを含む下部電極71を成膜し、下部電極71上に極薄のチタン層8を積層する。強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜をチタン層8上に形成し、当該非晶質膜を熱処理することで結晶化した強誘電体薄膜9を成膜する。チタン層8を積層する際にその膜厚を2nm〜10nmにすれば強誘電体薄膜9は(100)優先配向になり、10nm〜20nmにすれば強誘電体薄膜9は(111)優先配向になる。

Claim (excerpt)：

酸化ジルコニウムを主成分とする下地層上に少なくともイリジウムを含む下部電極を成膜する工程、当該下部電極上に極薄のチタン層を積層する工程、及び強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜を前記チタン層上に形成し、当該非晶質膜を熱処理することで結晶化した強誘電体薄膜を成膜する工程を備え、前記チタン層を積層する際にその膜厚を調整することで前記強誘電体膜の配向方位を制御することを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。

IPC (9)：

B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 37/02

FI (6)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

F-Term (29)：

2C057AF52 ,  2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG16 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP54 ,  2C057AP77 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038AZ10 ,  5F038CA11 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR07 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083PR04 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 液体噴射ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-201087   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 結晶性薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-257940   Applicant：ローム株式会社
• 液体噴射ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-214600   Applicant：セイコーエプソン株式会社