SiNx/PSG積層構造の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995296256
Publication number (International publication number)：1997115901
Application date： Oct. 19, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体基板上にG積層構造を形成するに際し、CVD-SiO2 が局部的に増速成長しないように改良されたSiNx/PSG積層構造の形成方法を提供する。【解決手段】本SiNx/PSG積層構造の形成方法は、先ず、リフロー酸化膜20の上にプラズマCVD法によりSiNx膜22を成膜する。次いで、SiNx膜22の表面に窒素プラズマ処理を施してSiNx膜22の表面を窒化する。SiNx膜22の内部の成分構成が変化することなく、その表面のみが窒化されて窒化層26が形成される。次いで、SiNx膜22上に常圧CVD装置を使用してPSG膜28を成膜する。本SiNx/PSG積層構造では、PSG膜28の膨らみ部30は、従来の膨らみ部に比べて遙に小さい。SiNx膜の表面窒化処理は、熱窒化処理によっても行うことができる。また、SiNx膜の表面窒化処理に代えて、洗浄による表面エッチング/酸化処理をSiNx膜表面に施しても良い。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD法によりSiNx膜を成膜する工程と、PSG膜を成膜する工程とを有し、基板上に、順次、SiNx膜及びPSG膜を成膜してSiNx/PSG積層構造を形成する方法において、SiNx膜を成膜する工程に引き続き、PSG膜を成膜する工程の前に、SiNx膜の表面を窒化する工程を有することを特徴とするSiNx/PSG積層構造の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/318

FI (3)：

H01L 21/316 G , H01L 21/31 C , H01L 21/318 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-010448 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-029319
半導体受光装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-054759 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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