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J-GLOBAL ID：200903000973789258

太陽電池素子およびその製造方法

Inventor： 増田 一子 ,  大和田 寛人
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003398190
Publication number (International publication number)：2005159171
Application date： Nov. 27, 2003
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

【課題】パッシベーション効果を充分に発揮させるとともに、反射防止の効果も最大限に発揮することのできる、改善された特性を有するパッシベーション膜を有する太陽電池素子とその製造方法を提供する。【解決手段】表面にパッシベーション膜4を有する半導体基板1を用いて構成された太陽電池素子であって、パッシベーション膜4は、半導体基板1との界面近傍に酸素の濃度が高くなった酸素含有領域3を有するように構成した。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面にパッシベーション膜を有する半導体基板を用いて構成された太陽電池素子であって、前記パッシベーション膜は、前記半導体基板との界面近傍に酸素の濃度が高くなった領域を有してなる太陽電池素子。

IPC (1)：

H01L31/04

FI (1)：

H01L31/04 A

F-Term (8)：

5F051AA02 ,  5F051BA16 ,  5F051CB20 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 反射防止膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-078626   Applicant：三菱電機株式会社
• 特許第2033620号
  

Cited by examiner (4)

• 太陽電池素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-067444   Applicant：京セラ株式会社
• 太陽電池素子の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-130758   Applicant：京セラ株式会社, 昭栄化学工業株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-224752   Applicant：鹿児島日本電気株式会社
• 太陽電池の製造方法およびその方法により製造する太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-110691   Applicant：シャープ株式会社