半導体処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹内澄夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996224660
Publication number (International publication number)：1998055968
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】反応炉内部に残留した汚染物質(パーテイクル)を効率よく除去でき、ガス流量の広い範囲にわたって、基板上を流れるガスを均一にできる枚葉式半導体処理装置を提供することである。【解決手段】反応炉(10)の内部に供給されたガスを反応炉(10)の外部へと排気するための排気口(35)に連通した略環状スリット(30)を有するガス整流手段(28、29、30)を具備し、略環状スリット(30)を基板(34)の外側周囲下方に位置し、略環状スリット(30)の幅を排気口(35)付近で狭くしたことを特徴とする、枚葉式半導体処理装置。

Claim (excerpt)：

反応炉の内部に基板の上方から供給されたガスを基板の中心付近から放射状に外周付近へと均一に流すために、前記反応炉の内部に供給された前記ガスを前記反応炉の外部へと排気するための排気口に連通した略環状スリットを有するガス整流手段を具備し、前記略環状スリットを前記基板の外側周囲下方に位置し、前記略環状スリットの幅を前記排気口の付近で狭くしたことを特徴とする、枚葉式半導体処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体処理リアクタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-038904 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレーテッド
ウエハの帯電軽減方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-275889 Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社
ウェーハ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-178136 Applicant：国際電気株式会社

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