Pat

J-GLOBAL ID：200903001058132294

レーザー装置及びレーザーアニール方法並びに半導体装置の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  田中 幸一郎 ,  笠原 健司 ,  河崎 律子
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000243525
Publication number (International publication number)：2001144027
Application date： Aug. 11, 2000
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 結晶粒径の大きい結晶質半導体膜が得られ、且つ、ランニングコストの低いレーザー装置及びレーザーアニール方法を提供する。【解決手段】 レーザーとしてメンテナンスが容易に耐久性の高い固体レーザーを用い、さらに線状のレーザー光としてスループットを上げることで製造コスト全体の低減を図る。さらに、そのようなレーザー光を非晶質半導体膜の表面及び裏面に照射することで結晶粒径の大きい結晶質半導体膜を得る。

Claim (excerpt)：

固体レーザーと、前記固体レーザーを発振源とするレーザー光の断面形状を線状に加工する光学系と、前記レーザー光を被処理体の表面及び裏面に照射する処理室と、を有することを特徴とするレーザー装置。

IPC (6)：

H01L 21/268 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01S 3/00

FI (6)：

H01L 21/268 J ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/00 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (92)：

2H092GA59 ,  2H092HA28 ,  2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JB07 ,  2H092JB33 ,  2H092JB36 ,  2H092JB51 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA41 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ08 ,  5F072KK05 ,  5F072KK12 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR05 ,  5F072YY08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ11 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP11 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ21 ,  5F110QQ25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• レーザー照射方法およびレーザー照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-046992   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
• 半導体層のアニール処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-268467   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-070022   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-096957   Applicant：ソニー株式会社
• 多結晶半導体の製造方法及び画像表示デバイスの製造方法及び多結晶半導体の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-066010   Applicant：三洋電機株式会社