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J-GLOBAL ID：200903002603177493

レーザー照射方法およびレーザー照射装置

Inventor： 山崎 舜平 ,  楠本 直人 ,  中嶋 節男 ,  寺本 聡 ,  福永 健司 ,  宮本 忠芳 ,  芳之内 淳
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997046992
Publication number (International publication number)：1998064842
Application date： Feb. 14, 1997
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体膜に対するレーザーアニールの均一性と再現性を高める。【解決手段】 レーザーアニールに対して影響を与えうる不確定因子を排除し、かつそのような因子のバラツキを精密に制御することでレーザーアニールの均一性および再現性を高める。具体的には、各因子を規格値の±3%以内に収める。これにより線状のレーザービームを用いた大面積に対するアニール効果の面内均一性と再現性を改善し、横縞模様のような画像乱れのない液晶表示装置の作製を可能とする。

Claim (excerpt)：

パルス発振型の線状のレーザー光を照射することにより半導体膜のアニールを行う方法であって、前記レーザー光のパルス毎の照射エネルギーが概略±3%以内に分布していることを特徴とするレーザー照射方法。

IPC (6)：

H01L 21/268 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/268 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• エキシマレ-ザ-アニ-ル法及びエキシマレ-ザ-アニ-ル装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-317851   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体デバイスのレーザー処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-066592   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• エキシマレーザ発振装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-176630   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平2-226718
  
• 薄膜多結晶シリコンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-231780   Applicant：三洋電機株式会社
• 多結晶半導体の製造方法及び画像表示デバイスの製造方法及び多結晶半導体の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-066010   Applicant：三洋電機株式会社