抵抗変化型素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：吉田稔 , 田中達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006280855
Publication number (International publication number)：2008098537
Application date： Oct. 16, 2006
Publication date： Apr. 24, 2008
Summary：

【課題】所定の動作原理においてバイポーラ型の動作が可能であって記憶素子として利用可能な抵抗変化型素子を提供する。【解決手段】本発明の抵抗変化型素子は、電極1と、電極2と、これら電極1,2間に位置する酸化物層3と、この酸化物層3に接して当該酸化物層3および電極2の間に位置する酸化物層4と、を含む積層構造を有する。酸化物層3は、酸化物層4に酸素イオン5を供与することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層4から酸素イオン5を受容することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。酸化物層4は、酸化物層3から酸素イオン5を受容することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層3に酸素イオン5を供与することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極および前記第2電極の間に位置する第1酸化物層と、前記第1酸化物層に接して当該第1酸化物層および前記第2電極の間に位置する第2酸化物層と、を含む積層構造を有し、前記第1酸化物層は、前記第2酸化物層に酸素イオンを供与することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記第2酸化物層から酸素イオンを受容することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能であり、前記第2酸化物層は、前記第1酸化物層から酸素イオンを受容することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記第1酸化物層に酸素イオンを供与することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である、抵抗変化型素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

F-Term (11)：

5F083FZ10 , 5F083HA10 , 5F083JA21 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083JA60 , 5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

国際公開第2003/094227号パンフレット
抵抗変化型メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-059927 Applicant：松下電器産業株式会社
抵抗変化機能体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-074113 Applicant：シャープ株式会社, 辻博司, 石川順三

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