アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西山恵三 , 内尾裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005305950
Publication number (International publication number)：2007115902
Application date： Oct. 20, 2005
Publication date： May. 10, 2007
Summary：

【課題】透明アモルファス酸化物を活性層に用い、且つ遮光手段を有する電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを備えた表示装置を提供する。【解決手段】基板上にソース電極と、ドレイン電極1040と、ゲート電極1040と、ゲート絶縁膜1050と、活性層1020とを有し、該活性層は、400nmから800nmの波長域の光に対して、70%以上の透過率を有する酸化物を含む。そして、該活性層に対する遮光手段としての遮光膜1090を、例えば基板下面に設ける。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、及び活性層とを有する電界効果型トランジスタであって、該活性層は、400nmから800nmの波長域の光に対して、70%以上の透過率を有する酸化物を含み構成され、且つ該基板と該活性層との間、若しくは該基板の該活性層と反対側の面に遮光手段が設けられているか、または該基板が遮光性を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (2)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 619B

F-Term (22)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN48 , 5F110NN49

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

国際公開第2005/088726号パンフレット

Cited by examiner (6)

アクティブマトリクス型液晶表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-325892 Applicant：カシオ計算機株式会社
トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-308806 Applicant：カシオ計算機株式会社
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