Pat

J-GLOBAL ID：200903060183903851

アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ

Inventor： 細野 秀雄 ,  平野 正浩 ,  太田 裕道 ,  神谷 利夫 ,  野村 研二
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2005003273
Publication number (International publication number)：WO2005088726
Application date： Feb. 28, 2005
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

本発明は、アモルファス酸化物及びそれを用いた薄膜トランジスタに関する。具体的には、電子キャリア濃度が1018/cm3未満のアモルファス酸化物、及びそれを用いた薄膜トランジスタを提供するものである。ソース電極6、ドレイン電極5、ゲート電極4、ゲート絶縁膜3、及びチャネル層2を有する薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層2として電子キャリア濃度が1018/cm3未満であるアモルファス酸化物を用いる。

Claim (excerpt)：

電子キャリア濃度が、1018/cm3未満であることを特徴とするアモルファス酸化物。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00

FI (5)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  C01G15/00 B ,  C01G15/00 D ,  C01G19/00 A

F-Term (17)：

5F110AA01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-096983   Applicant：シャープ株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-208948   Applicant：ホーヤ株式会社