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J-GLOBAL ID：200903001181418127

半導体光センサ

Inventor：
高村 文雄

About 高村 文雄

, 
小池 誠二

About 小池 誠二


Applicant, Patent owner：
新日本無線株式会社

About 新日本無線株式会社


Agent (1)： 長尾 常明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005012885
Publication number (International publication number)：2006202971
Application date： Jan. 20, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：
【課題】 シリコン等の半導体の受光素子を使用しながらも、低コストで比視感度特性に近い分光感度特性を実現した半導体光センサを提供する。 【解決手段】 ほぼ400nm〜1100nmの範囲の波長に高い分光感度を有する半導体受光素子と、該半導体受光素子の少なくとも受光面側を封止する光透過樹脂とを含む半導体光センサを構成する。その光透過樹脂は、粒径がほぼ100nmを超えない金属ホウ化物微粒子を透明樹脂内に分散させたもので、ほぼ700nm以上の波長域の光を遮光する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくとも可視光域から赤外域にかけての波長に高い分光感度を有する半導体受光素子と、該半導体受光素子の少なくとも受光面側を封止する光透過樹脂とを含む半導体光センサにおいて、 前記光透過樹脂は、La、Pr、Nd、Ce、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、又はWの内から選択された1又は2以上の元素のホウ化物であって且つ粒径がほぼ100nmを超えない微粒子を透明樹脂内に分散したものであることを特徴とする半導体光センサ。
IPC (1)：
H01L 31/02
FI (1)：
H01L31/02 B
F-Term (7)：
5F088AB03 ,  5F088AB07 ,  5F088BA20 ,  5F088HA06 ,  5F088JA06 ,  5F088JA07 ,  5F088JA11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (6)
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