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J-GLOBAL ID：200903001394431801

レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法

Inventor： 野崎 耕司 ,  並木 崇久 ,  小澤 美和
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 廣田 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005241665
Publication number (International publication number)：2007057709
Application date： Aug. 23, 2005
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：

【課題】 レジストパターンの方向、疎密差等に関係なく、しかもレジストパターン厚肉化材料の種類に依存することなく、該レジストパターン厚肉化材料により均一に厚肉化され、露光装置の光源における露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジスト組成物等の提供。【解決手段】 本発明のレジスト組成物は、スルホン酸アンモニウム塩を少なくとも含む。前記スルホン酸アンモニウムにおけるスルホン酸イオン部が、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオンである態様、アンモニウムイオン部が、一級アンモニウムイオン、二級アンモニウムイオン、三級アンモニウムイオンである態様などが好ましい。本発明のレジストパターンの形成方法は、前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することを含む。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

スルホン酸アンモニウム塩を少なくとも含むことを特徴とするレジスト組成物。

IPC (2)：

G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 568

F-Term (11)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080940   Applicant：三菱電機株式会社
• レジストパターン膨潤化材料およびそれを用いた微小パターンの形成方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-230427   Applicant：富士通株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-138756   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (2)

• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080940   Applicant：三菱電機株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-138756   Applicant：富士通株式会社