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J-GLOBAL ID：200903018572356274

レジストパターン膨潤化材料およびそれを用いた微小パターンの形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 野崎 耕司 ,  小澤 美和 ,  並木 崇久 ,  今 純一 ,  矢野 映
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 横山 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002230427
Publication number (International publication number)：2003131400
Application date： Aug. 07, 2002
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】 真空深紫外線領域でのフォトリソグラフィー手法によるパターニング技術において、露光限界を越えての微細なパターン描画を簡単に行う方法の確立が課題である。【解決手段】 樹脂と架橋剤からなる水溶性,またはアルカリ可溶性組成物において,非イオン性界面活性剤,または,アルコール系,鎖状または環状エステル系,ケトン系,鎖状または環状エーテル系からなる有機溶剤群から選ばれた有機溶剤のうち少なくともどちらか一方を含むことを特徴とするレジストパターン膨潤化材料。

Claim (excerpt)：

樹脂と架橋剤とからなる水溶性組成物乃至アルカリ可溶性組成物と、非イオン性界面活性剤とを含むことを特徴とするレジストパターン膨潤化材料。

IPC (2)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570

F-Term (5)：

2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080940   Applicant：三菱電機株式会社
• 水溶性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-182778   Applicant：クラリアントインターナショナルリミテッド
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-284682   Applicant：クラリアントジャパン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-003205   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-240528   Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
• 半導体装置の製造方法、微細パターン形成用薬液および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-273125   Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社