半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995181365
Publication number (International publication number)：1997036226
Application date： Jul. 18, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】配線の容量を小さくする為に低誘電率の層間絶縁膜を用いると半導体装置の放熱特性が劣化する。【解決手段】同一層のAl配線間には熱伝導率及び誘電率の小さいポリイミド膜5を設け、下層のAl配線と上層のAl配線間には熱伝導率及び誘電率の大きいシリコン酸化膜3A〜3Cを設ける。

Claim (excerpt)：

多層配線構造を有する半導体装置において、同一層の前記配線は熱伝導率および誘電率の小さい第1の絶縁膜に設けられた溝中に形成され、下層配線と上層配線間の層間絶縁膜は熱伝導率および誘電率の大きい第2の絶縁膜から構成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (3)：

H01L 21/90 S , H01L 21/90 V , H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

多層配線構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-066501 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-024617 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-065256

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