トレンチゲート型半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002194335
Publication number (International publication number)：2004039838
Application date： Jul. 03, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】寄生容量が小さいトレンチゲート型半導体装置を提供する。【解決手段】トレンチゲート型半導体装置において、第1導電型の第1半導体層101と、前記第1半導体層と隣接する第2導電型の第2半導体層103と、前記第2半導体層と隣接する前記第1導電型の第3半導体層104と、前記第3半導体層を貫き、前記第2半導体層に達する複数の絶縁ゲート105と、前記絶縁ゲートに接する第2導電型の第4半導体層111と、前記第3半導体層及び前記第4半導体層に電気的に接続する第1主電極109と、前記第1半導体層に電気的に接続する第2主電極100とを備え、第3半導体層115が抵抗を介して前記第1主電極に電気的に接続されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層と隣接する第2導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層と隣接する第1導電型の第3半導体層と、前記第3半導体層の一主表面から前記第3半導体層を貫き、前記第2半導体層に達する複数の絶縁ゲートと、チャンネルに電気的に接続する第1主電極と、前記第1半導体層に電気的に接続する第2主電極とを備え、前記第3半導体層は前記複数の絶縁ゲートにより第1および第2の領域に区分され、第1の領域には前記チャンネルが形成され、第2の領域は、抵抗を介して前記第1主電極に電気的に接続されていることを特徴とするトレンチゲート型半導体装置。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (5)：

H01L29/78 655A , H01L29/78 652A , H01L29/78 653A , H01L29/78 657A , H01L29/78 657E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

絶縁ゲート型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-126016 Applicant：富士電機株式会社
半導体装置及び電力変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-045081 Applicant：株式会社日立製作所
高耐圧半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-289786 Applicant：株式会社東芝

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