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J-GLOBAL ID：200903001499730065

トレンチ分離を用いる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor：
坂本 治

About 坂本 治

, 
味香 夏夫

About 味香 夏夫


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997355367
Publication number (International publication number)：1999074489
Application date： Dec. 24, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 十分なメモリセル間の分離能力を持ったトレンチ分離を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 半導体基板1の主表面中にライン状に形成されたトレンチ5内に、第1の絶縁物12が埋込まれている。トレンチ5の両側であって、半導体基板1の上に第1の酸化膜2を介在させて第1のゲート電極3が設けられている。第1のゲート電極3の上に、第2の絶縁物8を介在させて、第2のゲート電極9が設けられている。トレンチ5の側壁面と半導体基板1の上表面との間のなす角度は90°未満である。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板の主表面中に、ライン状に形成された、トレンチ分離用のトレンチと、前記トレンチ内を埋込むように前記半導体基板の上に設けられた第1の絶縁物と、前記トレンチの両側であって、前記半導体基板の上に、第1の酸化膜を介在させて設けられた第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極の上に、第2の絶縁物を介在させて設けられた第2のゲート電極と、を備え、前記トレンチの側壁面と前記半導体基板の上表面との間のなす角度は90°未満である、トレンチ分離を用いる不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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