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J-GLOBAL ID:200903001499981246
太陽電池の製造法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大島 正孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001128152
Publication number (International publication number):2002324907
Application date: Apr. 25, 2001
Publication date: Nov. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】 CVD法やプラズマCVD法とは異なり、簡単な操作や装置で、基体上にシリコン膜を、効率的に例えば高い歩留りや大きい形成速度で形成することのできるシリコン膜の形成方法を含む太陽電池の製造法を提供すること。【解決手段】 一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる隣接する少なくとも2層の半導体膜を有する太陽電池の製造法であって、少なくとも1層の半導体膜を、シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物を不活性有機媒体蒸気の存在下に熱分解せしめて形成せしめる太陽電池の製造法。
Claim (excerpt):
一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる隣接する少なくとも2層の半導体膜を有する太陽電池の製造法であって、少なくとも1層の半導体膜を、シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物を不活性有機媒体蒸気の存在下に熱分解せしめて形成せしめることを特徴とする太陽電池の製造法。
IPC (2):
FI (3):
H01L 21/205
, H01L 31/04 B
, H01L 31/04 A
F-Term (27):
5F045AA03
, 5F045AB03
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AE01
, 5F045AE29
, 5F045AE30
, 5F045AF07
, 5F045AF10
, 5F045BB08
, 5F045BB20
, 5F045CA13
, 5F051AA02
, 5F051AA05
, 5F051CA07
, 5F051CA14
, 5F051CA36
, 5F051CA40
, 5F051DA04
, 5F051DA20
, 5F051FA04
, 5F051GA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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特開昭60-026664
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半導体薄膜形成方法および太陽電池の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-247869
Applicant:株式会社東芝
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シリコン膜形成装置及びシリコン膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-028850
Applicant:シャープ株式会社
-
シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-174268
Applicant:シャープ株式会社
-
シリコン膜形成用の高次シラン含有溶液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-342682
Applicant:昭和電工株式会社
-
シリコン膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-275233
Applicant:ジェイエスアール株式会社, セイコーエプソン株式会社
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特開昭60-026664
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特開昭60-026664
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ホウ素でドープされたシリコン膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-291393
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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