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J-GLOBAL ID：200903084348113695

シリコン膜の形成方法

Inventor： 松木 安生 ,  横山 泰明 ,  竹内 安正 ,  古沢 昌宏 ,  湯田坂 一夫 ,  宮下 悟 ,  下田 達也
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社 ,  セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 大島 正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000275233
Publication number (International publication number)：2002087809
Application date： Sep. 11, 2000
Publication date： Mar. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 CVD法やプラズマCVD法とは異なり、簡単な操作や装置で、基体上にシリコン膜を、効率的に例えば高い歩留りや大きい形成速度で形成することのできる方法を提供すること。【解決手段】 シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物を、不活性有機媒体蒸気の存在下に、大気圧下で熱分解せしめて基体上にシリコン膜を形成する方法。

Claim (excerpt)：

シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物を、不活性有機媒体蒸気の存在下に、熱分解せしめることを特徴とする基体上にシリコン膜を形成する方法。

IPC (3)：

C01B 33/02 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C01B 33/02 D ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205

F-Term (32)：

4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072EE07 ,  4G072FF01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH29 ,  4G072PP20 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR01 ,  4G072UU02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA29 ,  4K030CA06 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA25 ,  5F045AA03 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC14 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE01 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045CA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• シリコン膜形成用の高次シラン含有溶液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-342682   Applicant：昭和電工株式会社
• 特開昭60-026664
  
• シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-174268   Applicant：シャープ株式会社
• シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-195985   Applicant：シャープ株式会社, 昭和電工株式会社
• シリコン膜形成用組成物およびシリコン膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-069314   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• シリルシクロペンタシランおよびその用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-069313   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• シリコン膜およびそのパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-117631   Applicant：ジェイエスアール株式会社