Pat
J-GLOBAL ID：200903001519687528

レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor：
西 恒寛

About 西 恒寛

, 
大澤 洋一

About 大澤 洋一

, 
畠山 潤

About 畠山 潤


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999263257
Publication number (International publication number)：2001083695
Application date： Sep. 17, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【解決手段】 ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有し、酸発生剤が下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩であることを特徴とする、ArFエキシマレーザー用レジスト材料。【化1】(式中、R1は水酸基、ニトロ基、又はO、N又はS原子を含んでも良い炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。また、2個のR1は環を形成しても良く、その場合にはR1はO、N又はS原子を含んでも良い炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。K-は非求核性対向イオンを示す。xは1又は2、yは0〜3の整数を示す。)【効果】 本発明のレジスト材料は、ArFエキシマレーザー光に感応し、感度、解像性に優れ、また厚膜化が可能なためエッチングにも有利であるために、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。
Claim (excerpt)：
ベース樹脂、酸発生剤及び溶剤を含有し、酸発生剤が下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩であることを特徴とする、ArFエキシマレーザー用レジスト材料。【化1】(式中、R1は水酸基、ニトロ基、又はO、N又はS原子を含んでも良い炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。また、2個のR1は環を形成しても良く、その場合にはR1はO、N又はS原子を含んでも良い炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の2価の炭化水素基を示す。K-は非求核性対向イオンを示す。xは1又は2、yは0〜3の整数を示す。)
IPC (7)：
G03F 7/004 503 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  C08L101/16 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (7)：
G03F 7/004 503 A ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  G03F 7/039 601 ,  C08L101/00 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (23)：
2H025AA01 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BJ01 ,  2H025BJ04 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA29 ,  4J002BG011 ,  4J002BG031 ,  4J002BG071 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002EV296 ,  4J002FD156 ,  4J002FD200 ,  4J002FD310 ,  4J002GP03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM