レベル変換回路およびレベル変換回路を含む不揮発性半導体メモリ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：大日方富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002314763
Publication number (International publication number)：2004153446
Application date： Oct. 29, 2002
Publication date： May. 27, 2004
Summary：

【課題】小振幅の入力信号から振幅の大きな正電圧と負電圧の電圧にレベル変換可能なレベル変換回路を占有面積を小さく構成する。【解決手段】正電圧Vpが印加される第1電圧端子と、負電圧Vnが印加される第2電圧端子と、上記第1電圧端子と上記第2電圧端子の電圧を動作電圧とするラッチ回路Q5〜Q8と、入力信号INを受けて上記ラッチ部の入力ノードN1,N2を駆動する入力MOSトランジスタQ1,Q2と、該入力MOSトランジスタQ1,Q2と上記ラッチ部の入力ノードN1,N2との接続を開閉する入力カットMOSトランジスタQ3,Q4とを備えたレベル変換回路である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電圧が印加される第1電圧端子と、第2電圧が印加される第2電圧端子と、上記第1電圧と上記第2電圧とを動作電圧とするラッチ回路と、入力信号を受けて上記ラッチ回路の入力端子を駆動する入力MOSトランジスタと、該入力MOSトランジスタと上記ラッチ回路の入力端子との間に設けられ制御電圧をゲート端子に受けて動作する入力カットMOSトランジスタとを備え、上記ラッチ回路から入力をレベル変換した電圧が出力されるように構成されていることを特徴とするレベル変換回路。

IPC (2)：

H03K19/0185 , G11C16/06

FI (4)：

H03K19/00 101D , G11C17/00 633D , G11C17/00 633E , G11C17/00 632A

F-Term (18)：

5B025AD03 , 5B025AD10 , 5B025AE06 , 5J056AA11 , 5J056AA32 , 5J056BB57 , 5J056CC00 , 5J056CC04 , 5J056CC14 , 5J056CC21 , 5J056DD13 , 5J056DD29 , 5J056EE06 , 5J056FF07 , 5J056FF08 , 5J056GG09 , 5J056KK00 , 5J056KK01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

不揮発性半導体記憶装置の消去方法およびそれを実現するロウデコーダ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-173880 Applicant：シャープ株式会社
レベル変換回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-187268 Applicant：株式会社東芝
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-016602 Applicant：日本電気株式会社

Show all

Return to Previous Page