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J-GLOBAL ID：200903001664996750

薄膜半導体装置

Inventor：
福島 康守

About 福島 康守


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995285365
Publication number (International publication number)：1997129891
Application date： Nov. 01, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】 高い冗長性を持つスイッチング素子を提供する。【解決手段】 1つの絵素に対するスイッチング素子として、2個のLDD-TFTを直列に接続した構造を有するデュアルゲートLDD-TFTを2個並列に接続する。各デュアルゲートLDD-TFTでは、ゲート電極4a、4bと重なる半導体層2の領域およびこれを挟むように形成された低濃度不純物領域9a1、9a2、9b1、9b2、9c1、9c2、9d1、9d2を、ソース領域およびドレイン領域として機能する高濃度不純物領域8a、8bよりも薄く形成する。これにより、液晶表示装置のスイッチング素子に要求される電気的特性を有し、かつ特にリペア作業を必要としない高い冗長性を有するスイッチング素子を実現することができる。
Claim (excerpt)：
1つの画素に接続された少なくとも2つのトランジスタ群を有する薄膜半導体装置であって、該少なくとも2つのトランジスタ群は直列に接続されており、該トランジスタ群のそれぞれは並列に接続された少なくとも2つの薄膜トランジスタを有しており、該薄膜トランジスタのそれぞれは、チャネル領域、少なくとも1つの低濃度不純物領域、および高濃度不純物領域を有する半導体層と、該半導体層との間に絶縁膜を挟んで形成された電極とを備えており、該チャネル領域は、該半導体層の該電極と重なる領域に形成されており、該少なくとも1つの低濃度不純物領域は、該半導体層の該チャネル領域と隣接する領域に形成されており、該高濃度不純物領域は、該半導体層において該低濃度不純物領域の該チャネル領域から遠い側に形成されている、薄膜半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 618 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開平1-050028
  • 薄膜トランジスタおよびその製法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-122680   Applicant：三菱電機株式会社
  • 液晶表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-261555   Applicant：ソニー株式会社
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