薄膜トランジスタおよびその製法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993122680
Publication number (International publication number)：1994333948
Application date： May. 25, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】オフ時のドレイン電流を低減させたTFTおよびそのための精度がよく簡単な工程でえられるLDD構造またはオフセット構造のTFTの製法を提供する。【構成】絶縁基板1上に形成されたSiなどからなる半導体薄膜2と、この半導体薄膜上全体に形成されたゲート絶縁膜3と、このゲート絶縁膜3上に形成されたゲート電極4を有しており、このゲート絶縁膜3において、ゲート電極4よりも幅広になる位置に段差部を有して異なる膜厚を有しており、ゲート電極4およびゲート絶縁膜3をマスクとしてイオン注入されることによりLDD領域5とソース/ドレイン領域6を有するLDD構造のTFTがえられる。また本発明による別の構造のTFTはLDD領域またはオフセット領域の半導体薄膜の厚さをチャネル領域の半導体薄膜の厚さより薄くなるように形成する。

Claim (excerpt)：

高濃度不純物領域からなるソース/ドレイン領域のゲート電極側が低濃度不純物領域とされるLDD構造のトランジスタを絶縁基板上に形成する薄膜トランジスタの製法であって、ソース/ドレイン領域の不純物の導入をイオン注入で行い、半導体薄膜上に注入イオンのイオン量を減ずる膜を低濃度不純物領域側で厚くなるように形成し、1回のイオン注入により高濃度のソース/ドレイン領域とLDD構造をなす低濃度不純物領域を同時に形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製法。

IPC (4)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 21/266

FI (3)：

H01L 29/78 311 P , H01L 21/265 L , H01L 21/265 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特開平4-196328
特開昭62-174973
MOSトランジスタ作製方法およびその構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-356299 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所