半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997050111
Publication number (International publication number)：1998247747
Application date： Mar. 05, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Inx Aly Ga1-x-y N層に対して、その結晶性を維持しつつ、接触抵抗が低く、かつ、十分な付着強度を有する電極構造を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明の第1の実施の形態においては、n型Inx Aly Ga1-x-y N層上にIV族元素またはVI族元素を含む金属からなる電極を堆積する。また、本発明の第2の実施の形態においては、n型Inx Aly Ga1-x-y N層またはp型Inx Aly Ga1-x-y N層に対して、炭素、ゲルマニウム、セレン、ロジウム、テルル、イリジウム、ジルコニウム、ハフニウム、銅、窒化チタン、窒化タングステン、モリブデン或いは珪化チタンなどの電極材料を堆積した後にこれらの半導体層のキャリア濃度を上げるような不純物をイオン注入し、アニールする。

Claim (excerpt)：

少なくともn型Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)層を含む複数の化合物半導体層を積層した積層構造体と、この積層構造体における前記n型Inx Aly Ga1-x-y N層のコンタクト領域上に堆積された第1の金属層と、を有し、前記第1の金属層は、IV族元素及びVI族元素のうちの少なくともいずれかの元素成分を含み、前記n型Inx Aly Ga1-x-y N層のコンタクト領域は、前記第1の金属層に含まれていた前記IV族元素及びVI族元素のうちの少なくともいずれかの前記元素成分が拡散侵入されることにより、そのコンタクト領域のキャリア濃度が上昇して、前記第1の金属層との接触抵抗が低下したものとして構成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 27/15 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 27/15 B , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭62-155562
半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-069081 Applicant：ローム株式会社
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222627 Applicant：旭化成工業株式会社

Show all

Return to Previous Page