半導体発光素子、およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995069081
Publication number (International publication number)：1996153892
Application date： Mar. 28, 1995
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】煩雑な製造工程を必要とすることなく、簡易な製造工程によって電極接触部のコンタクト抵抗を低下させ、もって半導体発光素子の発光輝度を高め、その発光駆動を安定させる。【構成】発光層4を挟むn型半導体層3およびp型半導体層5の各表面に、電極6a,6bが設けられている半導体発光素子において、上記n型半導体層3およびp型半導体層5の少なくとも上記電極6a,6bと接触する表面部には、この表面部の電気抵抗値を低下させるためのイオン注入がなされている。

Claim (excerpt)：

発光層を挟むn型半導体層およびp型半導体層の各表面に、電極が設けられている半導体発光素子において、上記n型半導体層およびp型半導体層の上記電極と接触する表面部の少なくとも一部には、この表面部の電気抵抗値を低下させるためのイオン注入がなされていることを特徴とする、半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭54-152485
半導体レーザ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-232835 Applicant：三菱電機株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-096746 Applicant：日本板硝子株式会社

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