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J-GLOBAL ID:200903001796998824
半導体力学量センサ
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
碓氷 裕彦
, 伊藤 高順
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006016536
Publication number (International publication number):2006171009
Application date: Jan. 25, 2006
Publication date: Jun. 29, 2006
Summary:
【課題】リーク電流を抑制して信頼性の高い半導体力学量センサを提供する。【解決手段】梁構造体は基板1の上面において所定間隔を隔てた位置に配置され、可動電極を有する。固定電極9a〜9d,11a〜11dは可動電極の側面に対向して配置されている。基板1の上面部に、下層側絶縁体薄膜と導電性薄膜と上層側絶縁体薄膜との積層体が配置され、導電性薄膜により固定電極の配線パターン22が形成されている。開口部30および固定電極のアンカー部28aを通して配線パターン22と固定電極9a,9b,11c,11dが電気的に接続され、上層側絶縁体薄膜における開口部および梁構造体のアンカー部を通して下部電極と梁構造体とが電気的に接続されている。【選択図】図3
Claim (excerpt):
基板と、
前記基板の上面において所定間隔を隔てた位置に配置され、互いに平行に延びる複数の可動電極を有する梁構造体と、
前記基板の上面に固定され、前記各可動電極の一方の側面にそれぞれ対向して配置された複数の第1の固定電極と、
前記基板の上面に固定され、前記各可動電極の他方の側面にそれぞれ対向して配置された複数の第2の固定電極とを備え、
前記梁構造体の可動電極と前記第1の固定電極とにより第1のコンデンサが形成されるとともに、前記梁構造体の可動電極と前記第2の固定電極とにより第2のコンデンサが形成された半導体力学量センサであって、
前記基板の上面部に、下層側絶縁体薄膜と導電性薄膜と上層側絶縁体薄膜との積層体が配置され、
前記導電性薄膜により構成され、前記複数の第1の固定電極を相互に接続する第1の配線パターンと、
前記導電性薄膜により構成され、前記複数の第2の固定電極を相互に接続する第2の配線パターンと
を備えることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (5):
G01P 15/125
, G01C 19/56
, G01P 9/04
, B81B 3/00
, G01P 15/08
FI (5):
G01P15/125 Z
, G01C19/56
, G01P9/04
, B81B3/00
, G01P15/08 P
F-Term (6):
2F105AA02
, 2F105BB03
, 2F105BB13
, 2F105CC04
, 2F105CD03
, 2F105CD11
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (8)
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半導体力学センサ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-273202
Applicant:日本電装株式会社
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特公平6-044008
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加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-108020
Applicant:日本電装株式会社
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半導体力学量センサとその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-019192
Applicant:株式会社デンソー
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半導体力学量センサとその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-256770
Applicant:株式会社デンソー
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半導体力学量センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-287663
Applicant:株式会社デンソー
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特公平6-044008
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特公平6-044008
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