半導体力学量センサとその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996019192
Publication number (International publication number)：1997211022
Application date： Feb. 05, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】リーク電流を抑制して信頼性の高い半導体力学量センサを提供する。【解決手段】梁構造体は基板1の上面において所定間隔を隔てた位置に配置され、可動電極を有する。固定電極9a〜9d,11a〜11dは可動電極の側面に対向して配置され、基板1の上面部における梁構造体と対向する領域に下部電極が形成されている。基板1の上面部に、下層側絶縁体薄膜と導電性薄膜と上層側絶縁体薄膜との積層体が配置され、導電性薄膜により固定電極の配線パターン22が形成されるとともに導電性薄膜による下部電極が形成され、開口部30および固定電極のアンカー部28aを通して配線パターン22と固定電極9a,9b,11c,11dが電気的に接続され、上層側絶縁体薄膜における開口部および梁構造体のアンカー部を通して下部電極と梁構造体とが電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

基板と、単結晶半導体材料よりなり、前記基板の上面において所定間隔を隔てた位置に配置され、力学量により変位する作用力を受ける梁構造体と、前記基板の上面に固定され、前記梁構造体の少なくともその一部に対向して配置された固定電極とを備えた半導体力学量センサであって、前記基板の上面部に、下層側絶縁体薄膜と導電性薄膜と上層側絶縁体薄膜との積層体を配置し、前記導電性薄膜により配線または電極を形成し、当該配線または電極を、前記上層側絶縁体薄膜に形成した開口部を通して前記基板の上に配置した電気接続部材に対し電気的に接続したことを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (3)：

G01P 15/125 , G01P 15/13 , H01L 29/84

FI (3)：

G01P 15/125 , G01P 15/13 , H01L 29/84 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

力学量センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-274530 Applicant：日本電装株式会社
加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-108020 Applicant：日本電装株式会社
半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347250 Applicant：日本電装株式会社

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