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J-GLOBAL ID：200903001797334385

レーザーダイオードアレイ、レーザー装置、合波レーザー光源および露光装置

Inventor： 永野 和彦 ,  岡崎 洋二 ,  蔵町 照彦
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002201979
Publication number (International publication number)：2003158332
Application date： Jul. 10, 2002
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 高出力が得られるレーザーダイオードアレイを得る。【解決手段】 複数の発光点を有するマルチキャビティレーザーダイオードチップ312を、複数個並べて固定してレーザーダイオードアレイ310を構成する。

Claim (excerpt)：

複数の発光点を有するマルチキャビティレーザーダイオードチップが、複数個並べて固定されてなるレーザーダイオードアレイ。

IPC (3)：

H01S 5/022 ,  G03F 7/24 ,  H01S 5/22 610

FI (3)：

H01S 5/022 ,  G03F 7/24 G ,  H01S 5/22 610

F-Term (18)：

2H097AA16 ,  2H097AB06 ,  2H097CA03 ,  2H097CA17 ,  5F073AB05 ,  5F073AB21 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA07 ,  5F073CA02 ,  5F073EA24 ,  5F073FA07 ,  5F073FA08 ,  5F073FA14 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA22 ,  5F073FA30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• マルチビームレーザとこれを用いたレーザビームプリンタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-022198   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-264789
  
• 端面発光型半導体レーザ素子を用いた光源装置および光走査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-022747   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 窒化物化合物半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-038325   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体発光素子とこれを含む装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-344847   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体光伝送モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-189945   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザーアレイ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-165737   Applicant：科学技術振興事業団
• 2次元アレイ型光素子モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-099563   Applicant：住友電気工業株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構
• 光伝送モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-162938   Applicant：三菱電機株式会社
• 光源装置、照明方法及びその装置、並びに、光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-287881   Applicant：ソニー株式会社