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J-GLOBAL ID：200903076419224725

窒化物化合物半導体レーザ及びその製造方法

Inventor：
小野村 正明

About 小野村 正明

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波多腰 玄一

About 波多腰 玄一

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布上 真也

About 布上 真也

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石川 正行

About 石川 正行


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998038325
Publication number (International publication number)：1998294533
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】活性層へキャリア注入を効率的に且つ均一に行うと共に基本横モード以外の高次モードを抑制することができ、低閾値電流、低動作電圧、低雑音特性で連続発振する信頼性の高い窒化物化合物半導体レーザを提供すること。【解決手段】サファイア基板101上に、活性層105を導電型の異なる半導体層で挟んだ半導体レーザにおいて、p側電極109と共にメサ型に形成された電流挙窄構造の側面にはポリイミド111の電流ブロックと光閉じ込めのための構造が形成されている。
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系化合物半導体(Gax Iny Alz N:x+y+Z=1、0≦x、y、z≦1)からなり、活性層を導電型の異なる半導体層で挟んだ半導体レーザにおいて、該活性層の上部に形成され該活性層にキャリアを注入するための電流狭窄構造がメサ型に形成され、該メサ型電流狭窄構造の側面は絶縁物の電流ブロック層で覆われていることを特徴とする窒化物化合物半導体レーザ。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (23)
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