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J-GLOBAL ID：200903076419224725

窒化物化合物半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 小野村 正明 ,  波多腰 玄一 ,  布上 真也 ,  石川 正行
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998038325
Publication number (International publication number)：1998294533
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】活性層へキャリア注入を効率的に且つ均一に行うと共に基本横モード以外の高次モードを抑制することができ、低閾値電流、低動作電圧、低雑音特性で連続発振する信頼性の高い窒化物化合物半導体レーザを提供すること。【解決手段】サファイア基板101上に、活性層105を導電型の異なる半導体層で挟んだ半導体レーザにおいて、p側電極109と共にメサ型に形成された電流挙窄構造の側面にはポリイミド111の電流ブロックと光閉じ込めのための構造が形成されている。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体(Gax Iny Alz N:x+y+Z=1、0≦x、y、z≦1)からなり、活性層を導電型の異なる半導体層で挟んだ半導体レーザにおいて、該活性層の上部に形成され該活性層にキャリアを注入するための電流狭窄構造がメサ型に形成され、該メサ型電流狭窄構造の側面は絶縁物の電流ブロック層で覆われていることを特徴とする窒化物化合物半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (19)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-243681   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041583   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-070657   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 可視光半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-349922   Applicant：シャープ株式会社
• 導波路型光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-021474   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平2-219090
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-040238   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-149490   Applicant：住友電気工業株式会社
• マルチ波長レーザダイオードアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-229360   Applicant：ゼロックスコーポレイション
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-178402   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-057688   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-233179   Applicant：ローム株式会社
• オプトエレクトロニックデバイス及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-225957   Applicant：フランス・テレコム
• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-191679   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平1-264285
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-198876   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-270647   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-074221   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-021557   Applicant：日亜化学工業株式会社