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J-GLOBAL ID：200903001846993764
プラズマ処理装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997266829
Publication number (International publication number)：1999106929
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 20, 1999
Summary：
【要約】【課題】 隔壁板及びその孔、並びにガス供給口周辺及び供給管内への重合膜等の異物の付着・堆積を抑制する。【解決手段】 ガスを用いて、励起源によりプラズマが生成されるプラズマ室2と、試料7が配置される処理室1と、プラズマ室と処理室との間に設けられ、プラズマ室から処理室に連通する孔4を有する隔壁板3と、処理室を排気する真空排気手段と、プラズマ室へパルス的にガスを供給するガス供給手段8、9、10とを備えるプラズマ処理装置において、隔壁板及びガス供給手段の少なくとも一方をプラズマ室の内壁よりも高温に保持する手段14、15を備えた。隔壁板及びガス供給手段の少なくとも一方を加熱する手段またはプラズマ室を冷却する手段を備えた。
Claim (excerpt)：
ガスを用いて、励起源によりプラズマが生成されるプラズマ室と、試料が配置される処理室と、前記プラズマ室と前記処理室との間に設けられ、前記プラズマ室から処理室に連通する孔を有する隔壁板と、前記処理室を排気する真空排気手段と、前記プラズマ室へパルス的に前記ガスを供給するガス供給手段とを備えるプラズマ処理装置において、前記隔壁板及びガス供給手段の少なくとも一方を前記プラズマ室の内壁よりも高温に保持する手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
C23C 16/50
, C23C 16/44
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
C23C 16/50
, C23C 16/44 J
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H01L 21/302 B
Cited by examiner (3)
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-050536
Applicant：三菱電機株式会社
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ドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-099138
Applicant：松下電子工業株式会社
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処理装置及びそのクリーニング方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-256505
Applicant：東京エレクトロン株式会社
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