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J-GLOBAL ID：200903001922505448

半田バンプの形成方法

Inventor：
本多 広一

About 本多 広一


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 宮越 典明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994295691
Publication number (International publication number)：1996139095
Application date： Nov. 04, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半田バンプ形成工程において、ウエハ-プロセスでバリアメタル層を形成する必要がない半田バンプの形成方法を提供すること。【構成】 半田7a/Cu又はNi7b/Au7cよりなる三層クラッド材を、微細プレス加工技術を用いて、直接半導体IC 1上の電極部2に打ち抜き圧着し(三層クラッド材打ち抜き片7として圧着し)、次に、超音波印加用金属製シ-ルを用いて三層クラッド材打ち抜き片7と電極部2とを接合させ、その後、加熱溶融することにより半田バンプ9を形成する。【効果】 従来法のように半導体IC 1の電極部2上にウエハ-プロセスでバリアメタル層を形成する必要がないので、プロセスの簡易化が図れる。
Claim (excerpt)：
三層クラッド材を微細プレス加工技術を用いて直接半導体IC上の電極部に打ち抜き圧着し、加熱溶融することを特徴とする半田バンプの形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/321 ,  B21D 28/02 ,  B23K 20/02 ,  B23K 35/14 ,  H05K 3/34 505
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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