Pat
J-GLOBAL ID:200903002006429244
半導体基板の切断方法及び半導体基板切断時固定用シ-ト
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
松月 美勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000011282
Publication number (International publication number):2001203173
Application date: Jan. 20, 2000
Publication date: Jul. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】吸引式テ-ブル上に多孔質シ-トを介して半導体基板を載置し、吸引式テ-ブルの減圧吸引により多孔質シ-トの連続気孔を通じて半導体基板を吸引固定しつつブレ-ドで良好にダイシングできるようにすることにある。【解決手段】吸引式テ-ブル1上に多孔質シ-トAを介して半導体基板を載置し、吸引式テ-ブル1の減圧吸引により多孔質シ-トAの連続気孔を通じて半導体基板2を吸引固定しつつブレ-ド3で切断する方法であり、半導体基板に接する多孔質シ-ト表面の上記基板の切断箇所直下に臨まされる部分を非通気性にする。
Claim (excerpt):
吸引式テ-ブル上に多孔質シ-トを介して半導体基板を載置し、吸引式テ-ブルの減圧吸引により多孔質シ-トの連続気孔を通じて半導体基板を吸引固定しつつブレ-ドで切断する方法であり、半導体基板に接する多孔質シ-ト表面の上記基板の切断箇所直下に臨ませる部分を非通気性にすることを特徴とする半導体基板の切断方法。
IPC (3):
H01L 21/301
, C08J 9/00 CES
, H01L 21/68
FI (4):
C08J 9/00 CES
, H01L 21/68 P
, H01L 21/68 N
, H01L 21/78 M
F-Term (15):
4F074AA17
, 4F074AB01
, 4F074CA52
, 4F074CC12Y
, 4F074CC24X
, 4F074CC32Y
, 4F074CC34Y
, 4F074CC36Y
, 4F074DA02
, 4F074DA03
, 4F074DA47
, 5F031CA02
, 5F031HA10
, 5F031HA13
, 5F031MA34
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
ダイシング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-163516
Applicant:日本電気株式会社
-
真空吸着保持装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-170153
Applicant:京セラ株式会社
-
チャックテーブル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-062596
Applicant:株式会社ディスコ
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