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J-GLOBAL ID：200903002020969006

半導体記憶装置

Inventor： 橋本 剛 ,  鈴木 幸英 ,  助川 俊一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 玉村 静世
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995233392
Publication number (International publication number)：1997063271
Application date： Aug. 18, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 オーバドライブ形式で駆動されるセンスアンプに一つの動作電源を供給する降圧回路の降圧電圧が不所望にレベル上昇する虞を防止する。【構成】 センスアンプ(3)の活性化タイミングにおいて最初外部電源電圧(VDD)を動作電源としてセンスアンプに供給し、次に降圧回路(1)で形成された降圧電圧(VDL)を動作電源として供給する、オーバドライブ技術を採用するとき、降圧回路を、電流源(Q50)と高抵抗(R1)との直列接続点(Nout)に前記降圧電圧を形成する降圧ユニット(10)に加えて、直列接続点の電圧が前記降圧電圧以上とされる所定電圧において当該直列結合点を接地電位(VSS)に導通させるディスチャージユニット(11)を設けて構成する。

Claim (excerpt)：

選択端子がワード線に結合された複数個のメモリセルと、メモリセルのデータ入出力端子に接続される相補信号線と、相補信号線の電位差を増幅する差動増幅回路と、外部から供給される外部電源電圧を降圧し前記ワード線の選択レベル以下の降圧電圧を形成する降圧回路と、前記差動増幅回路の活性化タイミングにおいて最初前記外部電源電圧を動作電源として前記差動増幅回路に接続させ、次いで前記降圧回路の出力電圧を動作電源として前記差動増幅回路に接続させる制御手段とを備えた半導体記憶装置であって、前記降圧回路は、電流源と高抵抗との直列接続点に前記降圧電圧を形成する降圧ユニットと、前記直列接続点の電圧が前記降圧電圧以上とされる所定電圧において当該直列結合点を接地電位に導通させるディスチャージユニットとを備えて、成るものであることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/409

FI (2)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 353 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• センスアンプ駆動回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-225648   Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-175245   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-138112   Applicant：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

Cited by examiner (2)

• センスアンプ駆動回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-225648   Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-175245   Applicant：三菱電機株式会社