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J-GLOBAL ID：200903002034321106

プラズマ処理方法及び装置

Inventor：
斎藤 光央

About 斎藤 光央

, 
奥村 智洋

About 奥村 智洋


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003300868
Publication number (International publication number)：2005072297
Application date： Aug. 26, 2003
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：
【課題】 所望の微細線状部分を精度良く高速に加工する、例えば厚さ1mmの板状電極において、線幅350μm程度、エッチングレート150μm/min程度を実現するプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 マイクロプラズマ源は、セラミック製の外側板1、内側板2及び3、外側板4から成り、外側板1及び4には外側ガス噴出口6が設けられ、内側板2及び3には内側ガス噴出口8が設けられている。高周波電力が印加される対向電極16には高周波電力を投入し、プラズマを発生させる。プラズマ処理の途中で、マイクロプラズマ源と被処理物のなす距離を変化させることで、任意の大きさにプラズマ発生領域を制御することができる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
ガス流路とガス噴出口と電位制御可能な電極を有するプラズマ源を被処理物近傍に載置させ、ガス流路にガスを供給しつつ、電位制御可能な電極に電力を投入させることでプラズマを発生させて、プラズマから発生する活性種およびガスをガス噴出口より被処理物に対して噴出させるプラズマ処理方法であって、 被処理物に直接もしくは間接的に接触させた発熱器によって、被処理物を100°C以上に加熱させつつプラズマ処理すること を特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3)：
H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/24
FI (3)：
H01L21/302 101E ,  C23F4/00 A ,  H05H1/24
F-Term (47)：
3B116AA03 ,  3B116AB23 ,  3B116BB82 ,  3B116BC01 ,  4K057DA11 ,  4K057DA19 ,  4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE15 ,  4K057DE20 ,  4K057DG02 ,  4K057DG06 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM35 ,  4K057DM37 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB12 ,  5F004BB13 ,  5F004BB26 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB25 ,  5F004DB26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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