半導体レーザ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999231042
Publication number (International publication number)：2001057462
Application date： Aug. 18, 1999
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】クラッド層と活性層との界面で生じるバンドギャップ不連続を低減し、動作電圧、動作電流の向上を図った半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明における半導体レーザ装置は、結晶基板と、結晶基板上に設けられ第一の波長のレーザ光を放出する第一のレーザ素子部と、結晶基板上に設けられ第一の波長とは異なる第二波長のレーザ光を放出する第二のレーザ素子部とを有する半導体レーザ装置において、第一のレーザ素子部は、膜厚が0.01μm以上、0.1μm以下であるバルク構造の活性層を有し、第二のレーザ素子部は、量子井戸層とバリア層との積層構造からなる活性層とを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

結晶基板と、前記結晶基板上に設けられ第一の波長のレーザ光を放出する第一のレーザ素子部と、前記結晶基板上に設けられ第一の波長とは異なる第二波長のレーザ光を放出する第二のレーザ素子部とを有する半導体レーザ装置において、前記第一のレーザ素子部は、第一導電型のクラッド層と、この第一導電型のクラッド層上に設けられ、膜厚が0.01μm以上、0.1μm以下であるバルク構造の活性層と、レーザの共振方向に沿ったリッジ状ストライプ形状の第二導電型のクラッド層と、この第二導電型のクラッド層の側面部分を覆うよう活性層上に形成された電流阻止層とを有し、前記第二のレーザ素子部は、第一導電型のクラッド層と、この第一導電型のクラッド層上に設けられ、量子井戸層とバリア層との積層構造からなる活性層と、レーザの共振方向に沿ったリッジ状ストライプ形状の第二導電型のクラッド層と、この第二導電型のクラッド層の側面部分を覆うよう活性層上に形成された電流阻止層とを有することを特徴とする半導体レーザ装置。

F-Term (8)：

5F073AA07 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073AB06 , 5F073BA05 , 5F073CA05 , 5F073CA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-284353 Applicant：日本ビクター株式会社
特開平1-204487
特開平1-204487

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