静電チャックおよび基板処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001019487
Publication number (International publication number)：2002222851
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】静電チャックにおいて、突起と半導体ウエハーとの擦れによって発生するパーティクルを低減させ、半導体ウエハーの温度の均一性を向上させる。【解決手段】静電チャック1は、ウエハー10を設置する設置面2aを有する絶縁層2と、絶縁層2内に設置されている内部電極と、設置面2aから突出する、ウエハー10と接触する接触面14を有する突起3Aを備える。ウエハー10を吸着した状態で、設置面2aと突起3Aとウエハー10とによって形成された空間11内にバックサイドガスを流すことで、ウエハー10の温度分布を均一化させる。突起3Aのウエハー10と接触するべき接触面14の面積の合計値が、内部電極の面積の5%以上、10%以下である。突起3Aの高さHが5μm以上、10μm以下である。

Claim (excerpt)：

ウエハーを設置するための設置面を有する絶縁層と、この絶縁層内に設置されている内部電極と、前記設置面から突出する、前記ウエハーと接触するべき接触面を有する突起を備えており、前記ウエハーを吸着した状態で、前記設置面と前記突起と前記ウエハーとによって形成された空間内にバックサイドガスを流すことで前記ウエハーの温度分布を均一化させる静電チャックであって、前記突起の前記接触面の面積の合計値が、前記内部電極の面積の5%以上、10%以下であり、前記突起の高さが5μm以上、10μm以下であることを特徴とする、静電チャック。

IPC (3)：

H01L 21/68 , B23Q 3/15 , H02N 13/00

FI (3)：

H01L 21/68 R , B23Q 3/15 D , H02N 13/00 D

F-Term (11)：

3C016CE05 , 3C016GA10 , 5F031CA02 , 5F031CA11 , 5F031HA03 , 5F031HA08 , 5F031HA16 , 5F031HA40 , 5F031JA01 , 5F031JA46 , 5F031PA26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

静電チャック及びウエハの吸着方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-330663 Applicant：富士通株式会社
静電吸着体と静電吸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-037559 Applicant：株式会社日立製作所
静電チャック
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-026317 Applicant：太平洋セメント株式会社, 日本電子株式会社

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Cited by examiner (6)

静電チャック及びウエハの吸着方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-330663 Applicant：富士通株式会社
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静電チャック
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