X線マスクの製造方法およびその装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999236801
Publication number (International publication number)：2001059193
Application date： Aug. 24, 1999
Publication date： Mar. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】エッチング中のプラズマからの発光を分光し、エッチング反応に関わる化学種の発光強度の変化を感度よくモニターすることで、エッチング面積が微少な場合でも、エッチングの開始点、終点を高精度に検出し、X線マスクの作製プロセスにおけるエッチングの再現性を高め、高精度のパターン形成を実現するX線マスクの製造方法と装置を提供する。【解決手段】エッチング室におけるプラズマの発光強度をモニターする受光手段を配置し、プラズマ中の化学種の発光を分光して検出し、プラズマ中の化学種の発光強度の信号に設定の演算処理を施してエッチングの始点と終点を判定する工程と、エッチングの開始または終了点より所定の時間経過後、エッチング条件を変更する工程もしくはエッチングを停止する工程を少なくとも含むX線マスクの製造方法および装置とする。

Claim (excerpt)：

プラズマによるエッチング装置を用いてX線マスクを製造する方法において、上記エッチング装置のエッチング室におけるプラズマの発光強度をモニターする受光手段を配置し、上記プラズマ中の化学種の発光を分光して発光強度信号を検出する工程と、該プラズマ中の化学種の発光強度信号に設定の演算処理を施すことによりエッチングの始点と終点を判定する工程と、上記エッチングの開始または終了点より所定の時間経過後、エッチング条件を変更する工程、もしくはエッチングを停止する工程を少なくとも含むことを特徴とするX線マスクの製造方法。

IPC (4)：

C23F 4/00 , G03F 1/16 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (4)：

C23F 4/00 F , G03F 1/16 A , H01L 21/30 531 M , H01L 21/302 E

F-Term (25)：

2H095BA10 , 2H095BB10 , 2H095BB17 , 2H095BB18 , 2H095BB31 , 2H095BC01 , 4K057DA14 , 4K057DB08 , 4K057DD04 , 4K057DE01 , 4K057DJ03 , 4K057DM29 , 4K057DM40 , 5F004AA16 , 5F004BA14 , 5F004BB14 , 5F004BD03 , 5F004CB02 , 5F004CB15 , 5F004DA04 , 5F004DB08 , 5F046GD01 , 5F046GD12 , 5F046GD15 , 5F046GD17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

X線マスクブランク及びその製造方法並びにX線マスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-034353 Applicant：ホーヤ株式会社
プラズマエッチャーのエンドポイント検出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-109682 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
金属膜のエッチング方法及びそのエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-072744 Applicant：株式会社芝浦製作所

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