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J-GLOBAL ID：200903002362164107

窒化物半導体素子

Inventor： 三谷 友次 ,  中河 義典
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998161452
Publication number (International publication number)：1999340509
Application date： May. 25, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 安定した低い動作電圧で高い出力が得られる窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 p型コンタクト層を含む1又は多層のp型窒化物半導体層と1又は多層のn型窒化物半導体層との間に活性層を備えた窒化物半導体素子において、p型コンタクト層は、互いに組成の異なる第1と第2の窒化物半導体層が交互に積層された超格子構造を有し、2つの窒化物半導体層のうち少なくとも第1の窒化物半導体層はInを含んでいる。

Claim (excerpt)：

p型コンタクト層を含む1又は多層のp型窒化物半導体層と1又は多層のn型窒化物半導体層との間に活性層を備えた窒化物半導体素子において、上記p型コンタクト層は、互いに組成の異なる第1と第2の窒化物半導体層とを含む層が順次積層された超格子構造を有し、上記2つの窒化物半導体層のうち少なくとも第1の窒化物半導体層はInを含んでいることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 光電装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-006758   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-317844   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝