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J-GLOBAL ID：200903002418948335

単結晶の製造装置および製造方法

Inventor：
倉垣 俊二

About 倉垣 俊二


Applicant, Patent owner：
住友シチックス株式会社

About 住友シチックス株式会社


Agent (1)： 森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996044377
Publication number (International publication number)：1997235174
Application date： Mar. 01, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：
【要約】【課題】結晶の熱履歴を制御することにより、酸化誘起積層欠陥が少なく、酸化膜耐圧特性に優れた単結晶の引上げを可能とする単結晶の製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】(1) 結晶の引上げ域を囲繞した円筒状等の耐熱反射部材7が、溶融液面5と金属チャンバーの天井部6aとの間に、ヒーター2や溶融液面5、または、石英坩堝1a等の高温部からの輻射を遮蔽または反射し、結晶の温度勾配を制御できる位置に設けられていることを特徴とする単結晶製造装置。(2)上記の装置を用いて、単結晶の高温域では徐冷、中・低温域では急冷となるように単結晶の温度勾配を制御しつつ引上げを行うことを特徴とする単結晶の製造方法。
Claim (excerpt)：
成長させるべき単結晶の原料溶融液を収容する坩堝と、この溶融液を加熱する手段と、坩堝内の溶融液の表面に種結晶を接触させて単結晶を成長させる引上げ手段と、前記各部材を収容する金属チャンバーとを具備する単結晶製造装置であって、単結晶の引上げ域の周囲を囲繞する円筒状、または上方から下方に向かうに従って縮径もしくは拡径された筒状で、その反射率が 0.5以上の耐熱反射部材が、溶融液と金属チャンバーの間の単結晶の温度勾配を制御すべき位置に設けられていることを特徴とする単結晶引上装置。
IPC (4)：
C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (4)：
C30B 15/00 Z ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 C ,  H01L 21/208 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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