Pat
J-GLOBAL ID：200903002447817053

気相成長装置および気相成長方法

Inventor：
新木 豊

About 新木 豊


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004320964
Publication number (International publication number)：2006135024
Application date： Nov. 04, 2004
Publication date： May. 25, 2006
Summary：
【課題】 組立性の良い簡略な構造を有し、被処理基板上に良質な膜を形成することができる、気相成長装置および気相成長方法を提供する。【解決手段】 原料ガスを導入する上流部反応管と、上流部反応管から導入された原料ガスとその内部に向かって保持された基板とを反応させ、反応した原料ガスを排出する中央部反応管とを有している。上流部反応管は、一対の板部材21,22と、板部材21,22の間に挟持されたフッ素樹脂製の側壁体23とで構成する。フッ素樹脂の適度な弾性により、別部材を用いなくても側壁体23と板部材21,22との間に隙間が生じない。【選択図】 図7
Claim (excerpt)：
原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記原料ガス導入部から導入された原料ガスとその内部に向かって保持された基板とを反応させる反応部と、前記反応部で基板と反応した原料ガスを排出する原料ガス排出部とを有する反応管を備えた気相成長装置であって、 前記反応管の少なくとも一部は、少なくとも一対の板部材と前記板部材の間に挟持されたフッ素樹脂製の側壁体とで構成された流路構成部材で構成されている、気相成長装置。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44
FI (2)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 B
F-Term (13)：
4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045DP04 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM